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Typical Characteristics
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = V DS
I D = 250 μ A
1.10
1.05
1.00
0.95
I D = 1mA
0.4
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
0.90
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
30000
10
8
I D = 80A
10000
C iss
6
V DD = 12V
V DD = 15V
V DD = 18V
C oss
4
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
2
1000
0.1
1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
30
0
0
60 120 180
Q g , GATE CHARGE(nC)
240
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
FDB8132_F085 Rev. C1
6
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